近15年来,随着更复杂、更密集的大规模和超大规模集成电路的生产,对高纯气体洁净度的要求,已不亚于对纯度和干燥度的要求,凡工艺气体,无一不对其中的粒子提出限制。因此,对于高纯气体,纯度、干燥度、洁净度是三项重要的标度。由于高纯度气体的使用地点、性质、工况(如温度、压力等)都不完全一致,所以,如何确定高纯气体的“三度”(纯度、干燥度、洁净度),还没有一个严格而明确的概念。 对于纯度和干燥度的控制,我国CBJ73—84《洁净厂房设计规范》中指出,“高纯气体系指纯度大于或等于99.9995%,含水量小于5ppm气体。”日本把微电子生产中所采用的气体,按其不同的品位,具体分为下列几个不同的档次:
1.超 高纯气体 气体中杂质总含量控制在1ppm以下,水份含量控制在0.2~1ppm。
2.高纯气体 气体中杂质总含量控制在5ppm以下,水份含量控制在3 ppm以内。
3.洁净气体 气体中杂质总含量控制在10 ppm以下,对水份含量未作严格规定。
上述规定,都未涉及洁净度。我们知道集成电路的生产,几乎都是在洁净环境中进行,是防止尘埃粒子污染微电子产品所必 需的。所以,对洁净的生产环境绝 不允许采用不洁净的气体来破坏,必 须使气体的洁净度与洁净环境保持一致,根据相关资料以及近些年公司相关工程的经验进行了一些归纳。
一、高纯/特种气体的概念
半导体集成电路制造所需要的高纯气体主要分为两大类:
1.普通气体:也叫大宗气体,主要有:H2 、N2 、O2 、Ar 、He等。
2.特种气体:主要指各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体等。
半导体制造用气体按照使用时的危险性分类:
1.可燃、助燃、易燃易爆气体:H2 、CH4、H2S、NH3 、SiH4、PH3 、B2H6、SiH2CL3、CLF3、SiHCL3等
2.有毒气体:AsH3、PH3 、B2H6等
3.助燃气体:O2 、N2O、F2 、HF等
4.窒息性气体:N2 、He 、CO2、Ar等
5.腐蚀性气体:HCL 、PCL3 、POCL3 、HF、SiF4、CLF3等
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